所謂外延芯片，簡單的說就是將外延氣體通入密閉的反應容器，在一定的溫度制度，壓力制度等條件下，外延氣體發生反應，生成的產物沉積在襯底上，就成為外延片了。氮化鎵是半導體，具有電子和電子空穴（PN結兩側有p區和n區，p即positive;n即negative）,通電時就會產生電子空穴復合，然后已光的形式將復合后剩余的能量都釋放出來，當然不僅僅是氮化鎵能做外延片，砷化鎵也可以，另外還有些三元、四元系統的（主要是第三主族和第五主族的元素），還有氮化鎵技術比較成熟。